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编辑:广东快乐十分注册           发布时间:2020年02月25日 00:23:12

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請繼續往下閱讀... BiCS5採用三層單元(TLC)與四層單元(QLC)兩種架構,因性價比、效能與穩定性等滿足因連網汽車、行動裝置與人工智慧而急速增長的資料量需求。未來,BiCS5 TLC與BiCS5 QLC將提供包括1.33Tb等多樣的儲存容量選擇。

BiCS5是由威騰電子與合作夥伴鎧俠(Kioxia,前東芝記憶體)共同開發,將於日本三重縣四日市及岩手縣北上市的合資晶圓廠製造。

記者周康玉/台北報導威騰電子(Western Digital)今(24)日宣布成功開發出第五代3D NAND技術BiCS5,目前已開始生產512Gb的BiCS5 TLC,並預計在2020年下半年就能開始商業化量產。

BiCS5是威騰電子目前密度最高、最先進的3D NAND技術。第二代多層儲存通孔技術、優化的工程設計流程及其他先進的3D NAND儲存單元技術大幅提升晶圓的橫向儲存單元陣列密度。此外,BiCS5擁有112層垂直堆疊的儲存容量,使每晶圓的儲存容量比96層的BiCS4高出40%,可達到最佳成本;新架構設計也為BiCS5挹注更高效能,使其I/O效能較BiCS4提高50%。

威騰電子記憶體技術與製造部門資深副總裁Steve Paak博士表示,BiCS5利用更先進的多層儲存通孔(multi-tier memory hole)技術來增加橫向儲存密度,同時透過增加儲存層讓3D NAND技術的容量與效能顯著提升,以滿足客戶對穩定性與低成本的期望。

威騰電子與鎧俠推第五代3D NAND技術BiCS5 下半年量產

▲威騰電子與鎧俠推第五代3D NAND技術BiCS5。(圖/業者提供)